El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor.
La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs.
Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo.
La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto.
Esta capa concentra los electrones en una zona compuesta por arseniuro de galio.