El centro de vacancia de germanio ( Ge-V ) es un defecto ópticamente activo en el diamante , que se puede crear dopando germanio en el diamante durante su crecimiento o implantando iones de germanio en el diamante después de su crecimiento. Sus propiedades son similares a las del centro de vacancia de silicio en el diamante (SiV). El Ge-V puede comportarse como una fuente de fotón único y muestra potencial para aplicaciones cuánticas y nanocientíficas debido a su estrecha línea de fonón cero (ZPL) y banda lateral fonónica mínima (en comparación con la del centro de vacancia de nitrógeno (NV)). [1]
Se predice que el Ge-V está formado por un átomo de germanio situado entre dos vacantes reticulares adyacentes y tiene la misma simetría de grupo puntual D 3d que el SiV. Tiene un único ZPL a 602 nm (2,059 eV) a temperatura ambiente, que se divide en dos componentes separados por 0,67 meV a bajas temperaturas (10 K). El Ge-V tiene una vida útil en estado excitado de 1,4 a 5,5 ns. [1]
El Ge-V se puede crear durante el crecimiento del diamante o mediante implantación de iones y posterior recocido a 800 °C. El primer método produce una menor tensión reticular, como lo revela la dispersión en la posición y el ancho de la ZPL de Ge-V. [1] [2]
