Semiconductor de espacio estrecho

Todos los semiconductores con bandas prohibidas más pequeñas que el silicio

Los semiconductores de banda estrecha son materiales semiconductores con una magnitud de banda prohibida menor a 0,5 eV, lo que corresponde a una longitud de onda de corte de absorción infrarroja superior a 2,5 micrones. Una definición más amplia incluye todos los semiconductores con bandas prohibidas menores que el silicio (1,1 eV). ^{[1] [2]} Las tecnologías modernas de terahercios , ^[3] infrarrojos , ^[4] y termográficas ^[5] se basan todas en esta clase de semiconductores.

Los materiales de espacio estrecho hicieron posible la realización de teledetección satelital , ^[6] circuitos integrados fotónicos para telecomunicaciones , ^{[7] [8] [9]} y sistemas Li-Fi de vehículos no tripulados, ^[10] en el régimen de detector infrarrojo y visión infrarroja . ^{[11] [12]} También son la base de los materiales para la tecnología de terahercios, incluida la vigilancia de seguridad del descubrimiento de armas ocultas , ^{[13] [14] [15]} imágenes médicas e industriales seguras con tomografía de terahercios , ^{[16] [17] [18]} así como aceleradores de wakefield dieléctricos . ^{[19] [20] [21]} Además, la termofotovoltaica integrada con semiconductores de espacio estrecho puede potencialmente utilizar la porción tradicionalmente desperdiciada de la energía solar que ocupa ~49% del espectro de la luz solar. ^{[22] [23]} Las naves espaciales, los instrumentos de las profundidades oceánicas y las configuraciones de física de vacío utilizan semiconductores de espacio estrecho para lograr un enfriamiento criogénico . ^{[24] [25]}

Lista de semiconductores de espacio estrecho

Véase también

• Lista de materiales semiconductores
• Semiconductor de banda ancha

Referencias

1. Li, Xiao-Hui (2022). "Materiales de banda estrecha para aplicaciones optoelectrónicas". Frontiers of Physics . 17 (1): 13304. Bibcode :2022FrPhy..1713304L. doi :10.1007/s11467-021-1055-z. S2CID  237652629.
2. Chu, Junhao; Sher, Arden (2008). Física y propiedades de semiconductores de espacio estrecho. Springer. doi :10.1007/978-0-387-74801-6. ISBN 978-0-387-74743-9.
3. Jones, Graham A.; Layer, David H.; Osenkowsky, Thomas G. (2007). Manual de ingeniería de la Asociación Nacional de Radiodifusores. Taylor y Francis. pág. 7. ISBN 978-1-136-03410-7.
4. Avraham, M.; Nemirovsky, J.; Blank, T.; Golan, G.; Nemirovsky, Y. (2022). "Hacia un radiómetro de detección remota por infrarrojos preciso de la temperatura corporal basado en un nuevo sistema de detección por infrarrojos denominado TMOS digital". Micromachines . 13 (5): 703. doi : 10.3390/mi13050703 . PMC 9145132 . PMID  35630174. 
5. Hapke B (19 de enero de 2012). Teoría de la espectroscopia de reflectancia y emitancia. Cambridge University Press. p. 416. ISBN 978-0-521-88349-8.
6. Lovett, DR Semimetales y semiconductores de banda estrecha; Pion Limited: Londres, 1977; Capítulo 7.
7. Inside Telecom Staff (30 de julio de 2022). "¿Cómo pueden los chips fotónicos ayudar a crear una infraestructura digital sostenible?". Inside Telecom . Consultado el 20 de septiembre de 2022 .
8. Awad, Ehab (octubre de 2018). "Corte y recombinación de modos bidireccionales para conversión de modos en guías de ondas planas". IEEE Access . 6 (1): 55937. doi : 10.1109/ACCESS.2018.2873278 . S2CID  53043619.
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Lectura adicional

• Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Semiconductores de espacio estrecho . Springer Tracts in Modern Physics 98 , ISBN 978-3-540-12091-9 (impreso) ISBN 978-3-540-39531-7 (en línea)  
• Nimtz, Günter (1980). "Recombinación en semiconductores de espacio estrecho". Physics Reports . 63 (5): 265–300. Bibcode :1980PhR....63..265N. doi :10.1016/0370-1573(80)90113-1. ISSN  0370-1573.