El efecto de cuerpo flotante es el efecto de la dependencia del potencial del cuerpo de un transistor realizado mediante la tecnología de silicio sobre aislante (SOI) en el historial de su polarización y los procesos de recombinación de portadores . El cuerpo del transistor forma un condensador contra el sustrato aislado. La carga se acumula en este condensador y puede causar efectos adversos, por ejemplo, la apertura de transistores parásitos en la estructura y causar fugas fuera de estado, lo que resulta en un mayor consumo de corriente y, en el caso de DRAM , en la pérdida de información de las celdas de memoria. También causa el efecto de historial , la dependencia del voltaje umbral del transistor de sus estados anteriores. En dispositivos analógicos, el efecto de cuerpo flotante se conoce como efecto kink .
Una contramedida al efecto de cuerpo flotante implica el uso de dispositivos completamente agotados (FD). La capa aislante en los dispositivos FD es significativamente más delgada que el ancho del canal agotado. Por lo tanto, la carga y, por lo tanto, también el potencial de cuerpo de los transistores son fijos. [1] Sin embargo, el efecto de canal corto se agrava en los dispositivos FD, el cuerpo aún puede cargarse si tanto la fuente como el drenaje son altos, y la arquitectura no es adecuada para algunos dispositivos analógicos que requieren contacto con el cuerpo. [2] El aislamiento híbrido de trinchera es otro enfoque. [3]
Aunque el efecto de cuerpo flotante presenta un problema en los chips SOI DRAM, se explota como principio subyacente para las tecnologías Z-RAM y T-RAM . Por esta razón, el efecto a veces se denomina efecto Cenicienta en el contexto de estas tecnologías, porque transforma una desventaja en una ventaja. [4] AMD y Hynix obtuvieron la licencia de Z-RAM, pero en 2008 no la habían puesto en producción. [5] Otra tecnología similar (y competidora de Z-RAM) desarrollada en Toshiba [6] [7] y refinada en Intel es Floating Body Cell (FBC). [8] [5]
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