Un equipo australiano anunció que han fabricado un único transistor funcional a partir de 7 átomos que miden 4 nm de longitud. ver [[1]] [[2]] Scalzi + | ( Discusión | contribuciones ) 21:51 24 may 2010 (UTC)
Durante varias ejecuciones automatizadas del bot, se encontró que el siguiente enlace externo no estaba disponible. ¡Verifique si el enlace está realmente inactivo y corríjalo o elimínelo en ese caso!
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Este artículo no pertenece aquí. Se refiere a "tecnología de proceso de clase 10 nanómetros (nm)". Esta es la jerga de la industria para 1X, es decir, cualquier cosa entre 10 nm y 19 nm. Es probable que esté mucho más cerca de este último que del primero, por lo que no pertenece a un artículo sobre el proceso de 10 nm. Simplemente lo eliminaría, pero sospecho que alguien lo volverá a agregar, por lo que quería señalarlo aquí primero.
156.39.10.21 (discusión) —Comentario anterior sin fecha añadido 17:11 30 abr 2013 (UTC)
El nodo de 10 nanómetros (10 nm) es el nodo tecnológico que sigue al nodo de 14 nm. << Esa es la primera oración. Esta página necesita agregar algo de contexto. — Comentario anterior sin firmar agregado por 91.123.162.38 (discusión) 22:22, 17 de mayo de 2013 (UTC)
Hola compañeros wikipedistas,
Acabo de agregar enlaces de archivo a un enlace externo en 10 nanómetros . Tómese un momento para revisar mi edición. Si es necesario, agregue después del enlace para evitar que lo modifique. Alternativamente, puede agregar para mantenerme fuera de la página por completo. Hice los siguientes cambios:{{cbignore}}{{nobots|deny=InternetArchiveBot}}
Cuando haya terminado de revisar mis cambios, configure el parámetro marcado a continuación como verdadero para informar a los demás.
Un editor revisó esta edición y corrigió todos los errores encontrados.
Saludos.— cyberbot II Habla con mi dueño :En línea 19:39, 23 de febrero de 2016 (UTC)
No vuelvas a agregar esa tabla comparativa y toda esa sección sin comentarla aquí primero, porque la sección que eliminé no tenía sentido. Claramente fue escrita por personas que no tenían idea de lo que estaban hablando.
Problemas con esa sección:
Discuta aquí antes de agregar algo de esa sección. -- Cy be r XR ef ☎ 06:09, 12 de mayo de 2017 (UTC)
El itrs existe, de hecho lea el documento correspondiente para ver las reglas básicas del dispositivo lógico, sacará los valores sin fuente, la regla general probablemente no la mencionará ya que es arbitraria. Nuevamente, mire el documento y compare para ver que no cumplen con las reglas básicas del dispositivo lógico. Algunos nodos sí cumplen con estas reglas y otros no, no buscando una precisión perfecta sino más bien usarlo como una comparación de terceros como una forma de avanzar en la medición de la densidad del transistor del proceso. El proceso de 10 nm de Samsung es mejor que el proceso de 14 nm de Intel al analizar estrictamente la densidad, que es para lo que son estos artículos, no las propiedades eléctricas como el rendimiento en diferentes corrientes de accionamiento, que no se analizan aquí y son un tema completamente diferente. — Comentario anterior sin firmar agregado por 199.119.233.244 ( discusión ) 02:59, 13 de mayo de 2017 (UTC)
También podría ser mejor ser constructivo en Wikipedia en lugar de destructivo. Si no te gusta algo, cámbialo, no lo elimines. — Comentario anterior sin firmar añadido por 199.119.233.244 ( discusión ) 03:18, 13 de mayo de 2017 (UTC)
"actually read the corresponding document to see logic device ground rules"- Parece que no entiende bien qué es el ITRS y cuál es su función. Los documentos que publica el ITRS son libros blancos que detallan los procesos de semiconductores existentes y una hoja de ruta que indica hacia dónde cree que se dirige la industria en el futuro. No establecen reglas básicas para la industria ni establecen requisitos. Simplemente hacen predicciones; predicciones que, cabe señalar, a menudo resultaron ser incorrectas. También detallan los diversos avances en investigación y desarrollo que se han producido en varias empresas (léase: principalmente Intel e IBM, ahora es sobre todo Intel)."Again, look at the document and compare to see that they do not meet the logic device ground rules. Some nodes do, and some don't meet these rules"Históricamente hablando, la hoja de ruta se desvió casi el 100% del tiempo. Hasta 0,5 µm en el período de 1993.Samsung's 10 nm process is better than Intel's 14 nm process discussing strictly density, which is what these articles are for, not electrical properties like performance at different drive currents, which are not discussed here and are a whole different topic entirely then.El ITRS y otras organizaciones cambian sus hojas de ruta periódicamente. El ITRS no ha cerrado oficialmente; todavía tiene un sitio web y presencia en las redes sociales. Entiendo la logística detrás de estas hojas de ruta de semiconductores. Actualmente, el IRDS tiene las mismas "Reglas básicas de dispositivos lógicos" que el ITRS, ya que parece que han copiado y pegado la misma página. No dedicaría demasiada energía a preocuparme específicamente por estos números, ya que si cambian, se pueden actualizar estas "reglas básicas" a medida que se publiquen. La forma en que he indicado que los nodos de dispositivos fallan o pasan las especificaciones del ITRS puede ser demasiado estricta, así que intentaré cambiar eso. Solo quise usar estas reglas de dispositivos lógicos como un tercero con el que comparar. Para el propósito de este artículo, no me importa lo que sean o incluso lo que haga la industria; son solo algo con lo que comparar. Se llaman "Reglas básicas de dispositivos lógicos" porque así es como se las llama en realidad en el documento, aunque es cierto que son más como pautas. Sí, las longitudes de las compuertas solían ser la forma en que la industria medía los nodos de proceso y eso se ha estancado.
En este artículo, no hablamos en general de especificaciones completas de transistores, sino más bien de densidad en relación con los semiconductores. Cambié la redacción para abordar estrictamente la densidad. La documentación de 10 nm de Samsung y la documentación de 14 nm de Intel comparadas le mostrarán que Samsung tiene una mayor densidad. Tal vez pueda hacer artículos de Wikipedia sobre el nodo de proceso de 10 nm de Samsung o el nodo de proceso de 14 nm de Intel si desea profundizar en ellos.
Usted afirma no tener relaciones con fundiciones, pero sus acciones muestran una posible afiliación a Intel. Sus comentarios anteriores indican una clara defensa principalmente contra declaraciones no necesariamente favorables a Intel. También eliminó la parte del artículo de 14 nm sobre Intel que utiliza solo el nodo de proceso más reciente en la capa base, pero no dijo nada al respecto. Esto engaña al cliente y es información verdadera y también está debidamente documentada. Nadie tenía problemas con estas páginas hasta que apareció usted. ¿Por casualidad trabaja en la oficina israelí de Intel donde trabajan en la fabricación de nodos de proceso más avanzados, ya que su página de usuario muestra que se identifica como judío? Sé que Intel tiene esta pequeña narrativa para jugar de que están 3 años por delante de todos (que es quizás la razón por la que eliminó la tabla para que estos números no se puedan comparar fácilmente), pero esta es una evaluación incierta y subjetiva de la situación, considerando que gran parte de esto es especulación, ya que Samsung puede tener una mejor densidad y TSMC acaba de comenzar a producir en masa su proceso de 10 nm que supuestamente tiene una densidad aún mayor. Veo que Samsung también podría no estar diciendo la verdad con todo el corazón sobre su nodo de proceso, pero un tweet de un tipo llamado Dick James en Twitter no es una fuente buena y verificable en Wikipedia a menos que tenga un artículo publicado sobre el tema. El artículo de Tech Insights ilustra el paso de 68 nm, pero no el número de 51 nm. Si puede encontrar una fuente adecuada y confiable con ambos números verificados, entonces se pueden agregar estas dimensiones. Actualmente, solo se puede agregar el de 68 nm.
Veo lo que hiciste en el artículo y, aunque ayuda a abreviar las cosas, no hay tabla y, por lo tanto, no hay visualización y puede ser difícil para ciertas personas leer y comparar estos números, especialmente aquellos con ciertas discapacidades, por lo que se diseñó una tabla para este propósito. También te identificas como disléxico, por lo que eliminar la tabla no tiene ningún sentido para una persona disléxica, ya que leer los números sería más difícil, a menos que tengan motivos ocultos como una posible afiliación con Intel. Si encuentras una fuente adecuada y verificable, entonces, si lo deseas, también puedes agregar que los 14 nm de Intel ofrecen un mejor rendimiento o eficiencia que los 10 nm de Samsung si se descubre que esto es cierto. — Comentario anterior sin firmar agregado por 199.119.233.189 ( discusión ) 02:45, 14 de mayo de 2017 (UTC)
Una tabla útil, pero ¿podemos ser más específicos sobre los nombres de los procesos de las fundiciones? Algunas de ellas tienen/desarrollan múltiples procesos en cada "nodo".
Además, ¿qué métrica deberíamos usar para la "densidad"? - [3] usa "Paso de compuerta (GP) multiplicado por Paso de metal 1 (M1P)" - Rod57 ( discusión ) 12:44, 10 de junio de 2018 (UTC)
Se dice que el proceso Intel 14nm++ tiene un "rendimiento superior" que el proceso inicial de 10 nm de Intel. ¿Podríamos incluir una columna para comparar el proceso Intel 14nm++? - Rod57 ( discusión ) 14:30, 10 de junio de 2018 (UTC)
¿Por qué aparecen las reglas de 14 nm y las especificaciones de 14 nm de Intel en esta tabla? ¿Qué sentido tiene eso? — Comentario anterior sin firmar añadido por YouBloodyMook ( discusión • contribuciones ) 22:32, 7 de septiembre de 2018 (UTC)
A modo de comparación, los procesos de 10 nm de TSMC y Samsung se acercan más a las normas ITRS de 16/14 nm y al proceso de 14 nm de Intel. — Pizzahut2 ( discusión ) 23:02, 7 de septiembre de 2018 (UTC)
En Demostraciones de tecnología y preproducción dice que no tengo acceso a la fuente, pero ¿alguien podría aclarar si esto podría usarse para chips de lógica integrada, por ejemplo, para CPU/GPU? Para CMOS creo que necesitamos transistores NMOS y PMOS en modo de mejora. Parece que solo fabricaron a mano un transistor que funcionara: ¿era en modo de mejora o en modo de agotamiento? El resumen solo dice : El trabajo anterior de IBM (2002) sobre CNT se describe en el transistor de efecto de campo de túnel (TFET), pero parece poco probable para aplicaciones generales. ¿Implica que se podrían usar otros materiales para fines complementarios? Lógica TFET para más allá de CMOS . - Rod57 ( discusión ) 14:52, 10 de junio de 2018 (UTC) "In 2012, IBM produced a sub-10 nm carbon nanotube transistor that outperformed silicon on speed and power.[16] "The superior low-voltage performance of the sub-10 nm CNT transistor proves the viability of nanotubes for consideration in future aggressively scaled transistor technologies", according to the abstract of the paper in Nano Letters.[17]" "... we demonstrate the first sub-10 nm CNT transistor, which is shown to outperform the best competing silicon devices with more than four times the diameter-normalized current density (2.41 mA/μm) at a low operating voltage of 0.5 V. The nanotube transistor exhibits an impressively small inverse subthreshold slope of 94 mV/decade—nearly half of the value expected from a previous theoretical study."
¿Podemos conservar la cita de Pat Gelsinger? Es una gran cita y he estado esperando desde 2008 por esos chips de 10 nm. — Comentario anterior sin firmar agregado por 64.64.95.88 ( discusión ) 04:34, 19 de octubre de 2018 (UTC)
Sería útil un gráfico útil que describiera exactamente a qué diablos se refieren todas estas dimensiones. Alguien con conocimientos podría dibujar un transistor "típico" en un chip "típico" y etiquetar las distintas dimensiones. Algo como: "Un chip de clase 10 nm normalmente tiene transistores que ocupan un área de 40 nm x 40 nm (simplemente saqué el número de la nada), la clase 10 nm tiene un tamaño de característica más pequeño de 10 nm, lo que significa que (este pequeño bulto aquí) normalmente tiene aproximadamente 11,189547567 nm de ancho". -- 73.83.14.130 (discusión) 19:24, 22 de octubre de 2018 (UTC)
¿Dónde está el enlace a esta información? ¿Cómo comparamos el proceso de 10 nm de Samsung con el de Intel? ¿Un nodo es solo una especificación de rendimiento (10 gigaflops que utilizan menos de 50 W, no importa lo pequeños que sean los transistores) o describe un tamaño específico (los transistores ocupan un área de 10 nm x 10 nm, y el chip podría realizar 1 flop y utilizar 100 000 W)? -- 73.83.14.130 (discusión) 19:24 22 oct 2018 (UTC)
¿Wikichip es una fuente de suficiente calidad como para ser utilizada en citas? Creo que no, pero me gustaría conocer las opiniones de otras personas, ya que se utiliza para respaldar algunas afirmaciones polémicas en este artículo. 87.75.117.183 ( discusión ) 19:40 23 ago 2019 (UTC)
GlobalFoundries nunca ha comercializado productos de 7 nm y ha pasado a producir nodos de procesos más antiguos. Sin embargo, esta comparación aún tendría sentido entre TSMC y Samsung, ya que sus nodos de 7 y 8 nm tienen aproximadamente la misma densidad que los de 10 nm de Intel.
La comparación es correcta, pero quizás no sea muy útil, ya que los productos nunca se materializaron en GlobalFoundries. Existen en Samsung y TSMC, por lo que esa podría ser una comparación más relevante. Benny121221 ( discusión ) 00:47 31 mar 2021 (UTC)
Se está llevando a cabo una discusión para abordar la redirección de 8 nanómetros. La discusión se llevará a cabo en Wikipedia:Redirecciones para discusión/Registro/2021 31 de agosto #8 nanómetros hasta que se llegue a un consenso, y los lectores de esta página pueden contribuir a la discusión. Gaioa ( T C L ) 13:17, 31 de agosto de 2021 (UTC)
Existe una disputa sobre el contenido de si Intel 7 debería describirse como un proceso de 10 nm o de 7 nm , o de alguna otra manera. Véase Discusión:Proceso de 7 nm § Intel 7 para ver la discusión en curso. — Newslinger talk 09:35, 28 de septiembre de 2023 (UTC)