El nodo de "22 nm" es el paso del proceso que sigue al de 32 nm en la fabricación de dispositivos semiconductores CMOS MOSFET . El paso medio típico (es decir, la mitad de la distancia entre características idénticas en una matriz) para una celda de memoria que utiliza el proceso es de alrededor de 22 nm . [ cita requerida ] Las empresas de semiconductores lo demostraron por primera vez para su uso en memoria RAM en 2008. En 2010, Toshiba comenzó a enviar chips de memoria flash de 24 nm y Samsung Electronics comenzó a producir en masa chips de memoria flash de 20 nm. Las primeras entregas de CPU a nivel de consumidor que utilizan un proceso de 22 nm comenzaron en abril de 2012 con los procesadores Intel Ivy Bridge .
Desde al menos 1997, los "nodos de proceso" han recibido este nombre con fines puramente comerciales y no tienen relación con las dimensiones del circuito integrado; [1] ni la longitud de la compuerta, ni el paso del metal ni el paso de la compuerta en un dispositivo de "22 nm" son veintidós nanómetros. [2] [3] [4] [5]
La actualización del proceso de front-end de ITRS 2006 indica que el espesor físico equivalente del óxido no se escalará por debajo de 0,5 nm (aproximadamente el doble del diámetro de un átomo de silicio ), que es el valor esperado en el nodo de 22 nm. Esto es una indicación de que el escalamiento de CMOS en esta área ha llegado a un límite en este punto, posiblemente alterando la ley de Moore .
El nodo de 20 nanómetros es una matriz de contracción de medio nodo intermedio basada en el proceso de 22 nanómetros.
TSMC comenzó la producción en masa de nodos de 20 nm en 2014. [6] El proceso de 22 nm fue reemplazado por la tecnología comercial FinFET de 14 nm en 2014.
El 18 de agosto de 2008, AMD , Freescale , IBM , STMicroelectronics , Toshiba y el College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) anunciaron que desarrollaron y fabricaron conjuntamente una celda SRAM de 22 nm , construida sobre un diseño tradicional de seis transistores en una oblea de 300 mm , que tenía un tamaño de celda de memoria de solo 0,1 μm 2 . [7] La celda se imprimió utilizando litografía de inmersión . [8]
El nodo de 22 nm puede ser la primera vez que la longitud de la compuerta no es necesariamente menor que la designación del nodo tecnológico. Por ejemplo, una longitud de compuerta de 25 nm sería típica para el nodo de 22 nm.
El 22 de septiembre de 2009, durante el Intel Developer Forum Fall 2009 , Intel mostró una oblea de 22 nm y anunció que los chips con tecnología de 22 nm estarían disponibles en la segunda mitad de 2011. [9] Se dice que el tamaño de la celda SRAM es de 0,092 μm 2 , el más pequeño informado hasta la fecha.
El 3 de enero de 2010, Intel y Micron Technology anunciaron el primero de una familia de dispositivos NAND de 25 nm .
El 2 de mayo de 2011, Intel anunció su primer microprocesador de 22 nm, con nombre en código Ivy Bridge , que utiliza una tecnología FinFET llamada 3-D tri-gate . [10]
Los procesadores POWER8 de IBM se producen en un proceso SOI de 22 nm . [11]