El espacistores [1] fue un tipo de transistor desarrollado en la década de 1950 como una mejora con respecto al transistor de contacto puntual y al posterior transistor de unión de aleación . Ofrecía una velocidad mucho mayor que los transistores anteriores. Quedó obsoleto a principios de la década de 1960 con el desarrollo del transistor de difusión .
Está compuesto por una unión PN con una amplia región de agotamiento , en cuyo interior se realizan dos contactos adicionales: el inyector y el modulador . El material P se denominó base y el material N colector . El inyector actuaba como un emisor BJT ( transistor de unión bipolar ), el modulador como una base y el colector como su homónimo BJT. Consiguió alta velocidad reduciendo el tiempo de tránsito del portador de carga .