Gerente de planta [1] , Químico [2] , Científico de materiales, Escéptico.
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Controversia
Apoyo con orgullo el trabajo de Guerrilla Skepticism en Wikipedia, donde todas las ediciones son abiertas y transparentes y las referencias secundarias son más importantes que tu sistema de creencias sobre cualquier tema en particular. Los editores con intereses similares deberían trabajar juntos en los artículos. No edito páginas controvertidas. Aunque estaré encantado de ayudarte con cualquier artículo sobre mis áreas temáticas principales, es poco probable que me una a "tu causa" en una controversia determinada. En mi opinión, este no es el papel de un buen editor ni el propósito detrás de Wikipedia. La colaboración en temas de interés para la mejora de esos artículos es en cambio mi elección.
La investigación de posgrado en la Universidad de Tulane incluyó la fotocinética láser de elementos del grupo I [3] y materiales precursores de semiconductores. [4] [5] [6]
Carrera temprana
Supervisor, Centro de Tecnología de Ingeniería de Silicio de Texas Instruments.
Supervisor y Gerente en Ashland Specialty Chemical.
Gerente de sitio de Houghton Fluidcare
Actual
Gerente de planta, Kanto Corporation.
Su enfoque profesional más reciente se ha centrado en la seguridad de procesos y las regulaciones asociadas.
29 CFR Departamento de Trabajo/Administración de Seguridad y Salud Ocupacional
40 CFR Agencia de Protección Ambiental
49 CFR Departamento de Transporte/Junta Nacional de Seguridad del Transporte
Utilizo esta sección como un espacio de trabajo para colocar fragmentos de marcado wiki. A veces, esta sección está en blanco o está escasamente poblada...
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Suscripciones
Referencias
^ "Corporación Kanto". Corporación Kanto . Consultado el 8 de julio de 2014 .
^ "MS Degrees Awarded" (Grados de maestría otorgados). Universidad de Tulane . Consultado el 8 de julio de 2014 .
^ Panayotov, Valentin; Hamar, Kyle; Red, Clarence; Birdwhistell, Teresa LT; Koplitz, Brent (1998-05-01). "Ionización selectiva de elementos del grupo I a partir de columnas de Rb⋅Ga⋅Sb, K3Ga3As4 y K4In4As6 extirpadas con láser". Journal of Applied Physics . 83 (9): 4974–4979. doi :10.1063/1.367300. ISSN 0021-8979.
^ Panayotov, Valentin G.; Hamar, Kyle; Birdwhistell, Teresa LT; Koplitz, Brent D. (1 de enero de 1995). "Películas delgadas de semiconductores III-V mediante ablación/ionización láser de materiales de fase Zintl I-III-V". 2547 : 328–341. doi :10.1117/12.221486.{{cite journal}}: Requiere citar revista |journal=( ayuda )
^ Koplitz, Brent D.; Panayotov, Valentin G.; Hamar, Kyle; Birdwhistell, Kurt; Koplitz, Lynn V.; Birdwhistell, Teresa LT; Xu, Xiaodong; Deshmukh, Subhash; Brum, Jeffrey L. (1 de enero de 1993). "Uso de láseres para comprender y controlar la química de los precursores relacionados con semiconductores". 1804 : 79–86. doi :10.1117/12.142079.{{cite journal}}: Requiere citar revista |journal=( ayuda )
^ Panayotov, Valentin; Hamar, Kyle; Birdwhistell, Teresa LT; Red, Clarence; Dillon, Jennifer; Dennison, David; Barnes, Anthony P.; Koplitz, Brent (24 de abril de 1995). "Eliminación selectiva de potasio de K4In4Sb6 mediante ablación/ionización láser". Applied Physics Letters . 66 (17): 2241–2243. doi :10.1063/1.113179. ISSN 0003-6951.
