El arseniuro de aluminio y galio (también arseniuro de galio y aluminio ) ( Al x Ga 1−x As ) es un material semiconductor con una constante de red casi igual a la del GaAs , pero con una banda prohibida mayor . La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1: esto indica una aleación arbitraria entre GaAs y AlAs .
La fórmula química AlGaAs debe considerarse una forma abreviada de la fórmula anterior, en lugar de una proporción particular.
La banda prohibida varía entre 1,42 eV (GaAs) y 2,16 eV (AlAs). Para x < 0,4, la banda prohibida es directa .
El índice de refracción está relacionado con la banda prohibida a través de las relaciones de Kramers-Kronig y varía entre 2,9 (x = 1) y 3,5 (x = 0). Esto permite la construcción de espejos Bragg utilizados en VCSEL , RCLED y recubrimientos cristalinos transferidos al sustrato.
El arseniuro de aluminio y galio se utiliza como material de barrera en dispositivos de heteroestructura basados en GaAs. La capa de AlGaAs confina los electrones a una región de arseniuro de galio. Un ejemplo de un dispositivo de este tipo es un fotodetector infrarrojo de pozo cuántico ( QWIP ).
Se utiliza comúnmente en diodos láser de doble heteroestructura que emiten luz roja y cercana al infrarrojo (700-1100 nm) basados en GaAs .
La toxicología del AlGaAs no se ha investigado en profundidad. El polvo es irritante para la piel, los ojos y los pulmones. En una revisión reciente se han publicado estudios sobre los aspectos ambientales, de salud y seguridad de las fuentes de arseniuro de aluminio y galio (como el trimetilgalio y la arsina ) y sobre el control de la higiene industrial de las fuentes estándar de MOVPE . [1]