El trióxido de molibdeno describe una familia de compuestos inorgánicos con la fórmula MoO 3 (H 2 O) n donde n = 0, 1, 2. El compuesto anhidro se produce en la mayor escala de cualquier compuesto de molibdeno, ya que es el principal intermedio producido cuando se purifican los minerales de molibdeno. El óxido anhidro es un precursor del metal molibdeno, un importante agente de aleación. También es un importante catalizador industrial . [8] Es un sólido amarillo, aunque las muestras impuras pueden aparecer azules o verdes.
En la fase gaseosa, tres átomos de oxígeno están unidos al átomo central de molibdeno. En el estado sólido, el MoO 3 anhidro está compuesto de capas de octaedros de MoO 6 distorsionados en un cristal ortorrómbico. Los octaedros comparten aristas y forman cadenas que están reticuladas por átomos de oxígeno para formar capas. Los octaedros tienen un enlace corto de molibdeno-oxígeno a un oxígeno que no forma puente. [9] [10] También se conoce una forma metaestable (β) de MoO 3 con una estructura similar a WO 3. [11] [2]
Se aplican procedimientos similares para la recuperación de molibdeno de catalizadores agotados. El trióxido resultante se puede purificar por sublimación. La síntesis de laboratorio del dihidrato implica la acidificación de soluciones acuosas de molibdato de sodio con ácido perclórico : [12]
Na 2 MoO 4 + H 2 O + 2 HClO 4 → MoO 3 ·2H 2 O + 2 NaClO 4
El dihidrato pierde agua fácilmente para dar lugar al monohidrato. Ambos son de color amarillo brillante. El trióxido de molibdeno se disuelve ligeramente en agua para dar lugar al " ácido molíbdico ". En una base, se disuelve para dar lugar al anión molibdato.
Usos
El trióxido de molibdeno se utiliza para fabricar molibdeno metálico:
Debido a su estructura en capas y la facilidad de acoplamiento Mo(VI)/Mo(V), el MoO3 es de interés en dispositivos electroquímicos y pantallas. Se lo ha descrito como "el TMO [óxido de metal de transición] más comúnmente utilizado en aplicaciones de electrónica orgánica... se evapora a una temperatura relativamente baja (~400 °C)". [13] Tiene propiedades electrónicas y químicas favorables para su uso como capas de interfaz, dopantes de tipo p y materiales de transporte de huecos en OLED , células solares orgánicas y células solares de perovskita , [14] especialmente cuando se forma un contacto óhmico con semiconductores orgánicos . [15]
Referencias
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