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Matriz de transistores

Matriz de transistores B342D ( HFO ): 4 transistores NPN (aquí en una grabadora de casete ).
Matriz de transistores ULN2803APG ( Toshiba ) – 8 pares Darlington.
Chip de matriz de transistores que contiene dos transistores bipolares.

Los conjuntos de transistores constan de dos o más transistores sobre un sustrato común . A diferencia de los circuitos más integrados , los transistores se pueden utilizar individualmente como transistores discretos. Es decir, los transistores de la matriz no están conectados entre sí para implementar una función específica. Los conjuntos de transistores pueden consistir en transistores de unión bipolar o transistores de efecto de campo . Hay tres motivaciones principales para combinar varios transistores en un chip y en un solo paquete: [1]

Los parámetros de adaptación y la deriva térmica son cruciales para diversos circuitos analógicos, como amplificadores diferenciales , espejos de corriente y amplificadores logarítmicos .

La reducción del área de la placa de circuito es particularmente significativa para los circuitos digitales donde se combinan varios transistores de conmutación en un solo paquete. A menudo los transistores aquí son pares Darlington con un emisor común y diodos flyback , por ejemplo ULN2003A . Si bien esto amplía un poco la definición anterior de matriz de transistores, el término todavía se aplica comúnmente.

Una peculiaridad de las matrices de transistores es que el sustrato suele estar disponible como un pin separado (etiquetado como sustrato , a granel o a tierra ). Se requiere cuidado al conectar el sustrato para mantener el aislamiento entre los transistores de la matriz, ya que normalmente se utiliza el aislamiento de la unión p-n . Por ejemplo, para una serie de transistores NPN, el sustrato debe estar conectado al voltaje más negativo del circuito. [1]

Referencias

  1. ^ ab Dieter Jung (30 de junio de 1985). Transistorarrays [ Arreglos de transistores ] (PDF) (en alemán). Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) . OCLC  315025453.