El antimonuro de arseniuro de aluminio , o AlAsSb ( Al As 1-x Sb x ), es un compuesto semiconductor ternario III-V . Puede considerarse como una aleación entre el arseniuro de aluminio y el antimonuro de aluminio . La aleación puede contener cualquier proporción entre arsénico y antimonio. AlAsSb se refiere en general a cualquier composición de la aleación.
Se han desarrollado películas de AlAsSb mediante epitaxia de haz molecular y deposición química en fase de vapor de compuestos organometálicos [1] sobre sustratos de arseniuro de galio , antimoniuro de galio y arseniuro de indio . Normalmente se incorpora en heteroestructuras estratificadas con otros compuestos III-V.
La banda prohibida a temperatura ambiente (T = 300 K ) y la constante de red de las aleaciones de AlAsSb se encuentran entre las del AlAs puro (a = 0,566 nm, E g = 2,16 eV) y las del AlSb (a = 0,614 nm, E g = 1,62 eV). [2] En todas las composiciones, la banda prohibida es indirecta, como en el AlAs y el AlSb puros. El AlAsSb comparte la misma estructura cristalina de blenda de zinc que el AlAs y el AlSb.
El AlAsSb se puede adaptar en red a los sustratos GaSb , InAs e InP , lo que lo hace útil para heteroestructuras cultivadas en estos sustratos.
En ocasiones, el AlAsSb se emplea como capa de barrera de banda ancha en fotodetectores de barrera infrarrojos basados en InAsSb . [3] [4] En estos dispositivos, se forma una fina capa de AlAsSb entre capas de InAsSb dopadas de banda ancha más pequeña. Estas geometrías de dispositivos se denominan con frecuencia fotodetectores "nbn" o "nbp", lo que indica una secuencia de una capa dopada n , seguida de una capa de barrera, seguida de una capa dopada n o p . La capa de barrera de AlAsSb introduce una gran discontinuidad en el mínimo de la banda de conducción, lo que restringe el flujo de electrones (pero no de huecos ) a través del fotodetector de una manera que reduce la corriente oscura del fotodetector y mejora sus características de ruido. [5]