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Giles Davies

Alexander Giles Davies CPhys CEng FInstP FREng es profesor de Ingeniería Electrónica y Fotónica en la Universidad de Leeds .

Educación

Davies se formó en la Universidad de Bristol , donde obtuvo una licenciatura de primera clase en Ciencias en Física Química en 1987. [1] Obtuvo su doctorado en Física de Semiconductores en la Universidad de Cambridge en 1991, donde investigó el efecto Hall cuántico fraccional bajo la guía de Sir Michael Pepper . [2]

Investigación

Davies es conocido por su investigación en electrónica y fotónica de frecuencias de terahercios . Sus primeros trabajos se centraron en técnicas fotoconductoras para la generación y detección coherente de radiación pulsada de terahercios , [3] [4] lo que ayudó a demostrar las capacidades únicas de la obtención de imágenes y la espectroscopia de terahercios en comparación con los métodos analíticos establecidos.

En 2002, Davies coordinó un consorcio europeo que demostró el largamente buscado láser de cascada cuántica de frecuencia de terahercios (QCL), un dispositivo de estado sólido intrabanda. [5] Fue designado para su cátedra en la Universidad de Leeds ese mismo año.

Premios y honores

Davies recibió el premio Wolfson Research Merit Award de la Royal Society en 2011. En 2014, recibió la medalla y el premio Michael Faraday del Instituto de Física junto con Edmund Linfield por sus "contribuciones sobresalientes y sostenidas a la física y la tecnología de la región de frecuencia del infrarrojo lejano (terahercios) del espectro electromagnético". [6] [7] [8] En 2016, Davies fue elegido miembro de la Real Academia de Ingeniería . [9] [10]

Referencias

  1. ^ "Profesor Giles Davies FREng". Universidad de Leeds .
  2. ^ Davies, AG; Newbury, R; Pepper, M; Frost, JEF; Ritchie, DA; Jones, GAC (15 de diciembre de 1991). "Efecto Hall cuántico fraccional en gases huecos bidimensionales de alta movilidad en campos magnéticos inclinados". Physical Review B . 44 (6885): 13128–13131. doi :10.1038/417156a. PMID  12000955.
  3. ^ Gregory, IS; Baker, C; Tribe, WR; Evans, MJ; Beere, HE; ​​Linfield, EH; Davies, AG; Missous, M (17 de noviembre de 2003). "GaAs de baja temperatura recocido de alta resistividad con tiempos de vida de 100 fs". Applied Physics Letters . 83 (20): 4199–4201. Código Bibliográfico :2003ApPhL..83.4199G. doi :10.1063/1.1628389.
  4. ^ Shen, YC; Upadhya, PC; Linfield, EH; Beere, HE; ​​Davies, AG (3 de octubre de 2003). "Radiación de terahercios de banda ultraancha de emisores fotoconductores de GaAs cultivados a baja temperatura". Applied Physics Letters . 83 (15): 3117–3119. Código Bibliográfico :2003ApPhL..83.3117S. doi :10.1063/1.1619223.
  5. ^ Kohler, R; Tredicucci, A; Beltrán, F; Beere, ÉL; Linfield, EH; Davies, AG; Ritchie, fiscal del distrito; Iotti, RC; Rossi, F (9 de mayo de 2002). "Láser de heteroestructura semiconductora de terahercios". Naturaleza . 417 (6885): 156-159. Código Bib :2002Natur.417..156K. doi :10.1038/417156a. PMID  12000955.
  6. ^ "Investigadores de terahercios ganan la medalla Faraday". Universidad de Leeds. 1 de julio de 2014.
  7. ^ "La Medalla Faraday 2014 ha encontrado a sus héroes en el campo de los terahercios". TeraSense Group. 21 de agosto de 2014.
  8. ^ "Investigadores de la Universidad de Leeds que utilizan terahercios ganan el premio Faraday 2014". Laser Focus World. 3 de julio de 2014.
  9. ^ "Directorio de becarios". Real Academia de Ingeniería .
  10. ^ "Trío de ingenieros elegidos miembros de la Real Academia de Ingeniería". Universidad de Leeds. 9 de septiembre de 2016.